Cadmium arsenide 的分子结构, CAS编号: 12006-15-4
Cadmium arsenide (CAS 12006-15-4)
CAS号码:
12006-15-4
分子量:
487.08
分子式:
Cd3As2
仅供科研使用。不可用于诊断或治疗。
* 参考分析证明 大量特定数据 (包括水 含量).
快捷链接
订购信息
描述
技术信息
安全信息
安全技术说明书和分析证明书
砷化镉是一种半导体化合物，是开发电子设备的关键部件。它的作用是形成一种晶体结构，可以在分子水平上操纵电流。砷化镉能够精确控制半导体材料内部的电子流。砷化镉的作用机理包括促进电子移动的能力，有助于电子电路的高效运行。砷化镉的独特特性使其能够制造出功能更强的高性能设备。在分子层面，砷化镉可与其他半导体材料相互作用，形成复杂的结构，从而实现对电信号的精确调制。
Cadmium arsenide (CAS 12006-15-4) 参考文献
- 三元稀土砷化物 REZn3As3（RE = La-Nd，Sm）和 RECd3As3（RE = La-Pr）。 | Stoyko, SS. and Mar, A. 2011. Inorg Chem. 50: 11152-61. PMID: 21950243
- 三维狄拉克半金属的实验实现。 | Borisenko, S., et al. 2014. Phys Rev Lett. 113: 027603. PMID: 25062235
- 拓扑狄拉克半金属 Cd3As2 中的大型横向霍尔信号。 | Guo, ST., et al. 2016. Sci Rep. 6: 27487. PMID: 27263441
- 本征三维狄拉克半金属砷化镉中的漂移速度饱和与大电流密度。 | Kubakaddi, SS. 2020. J Phys Condens Matter. 32: 265701. PMID: 32101793
- 拓扑半金属异质结构中的狄拉克物理学控制与可视化。 | Kealhofer, DA., et al. 2022. Sci Adv. 8: eabn4479. PMID: 35857456
- 周期性驱动的狄拉克半金属 Cd_{3}As_{2} 中纵向等离子体模式增强的受激瑞利散射。 | Murotani, Y., et al. 2022. Phys Rev Lett. 129: 207402. PMID: 36461987
- 砷化镉薄膜中的二维拓扑绝缘体状态。 | Lygo, AC., et al. 2023. Phys Rev Lett. 130: 046201. PMID: 36763420
- 二维拓扑绝缘体砷化镉中通过量子点接触的边缘通道传输。 | Munyan, S., et al. 2023. Nano Lett.. PMID: 37307419
订购信息
| 产品名称 | 产品编号 | 规格 | 价格 | 数量 | 收藏夹 | |
Cadmium arsenide, 5 g | sc-268653 | 5 g | $95.00 |