Date published: 2025-9-7

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Silicon carbide (CAS 409-21-2)

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Nomes alternativos:
Carborundum; Silicon monocarbide
Numero VAT:
409-21-2
Peso Molecular:
40.10
Separar por Funcao:
SiC
Para uso em exclusivo em pesquisa. Não se destina a uso em diagnostico e tratamento.
Available in US only.
* Refere-se a Certificado de Análise para data especifica de lotes (incluindo-se o conteúdo de agua).

LINKS RÁPIDOS

O carboneto de silício (SiC) é um material semicondutor notável, composto por átomos de silício e carbono, com diversas aplicações em eletrónica, optoelectrónica e outros campos, tudo graças aos seus atributos distintivos. Nomeadamente, possui uma elevada condutividade térmica, um amplo intervalo de banda e propriedades mecânicas excepcionais. Além disso, o carboneto de silício demonstra uma estabilidade química notável e uma resistência notável à corrosão. Na investigação científica, o carboneto de silício tem-se revelado muito valioso e tem encontrado o seu caminho em várias áreas. Entre as suas utilizações, destaca-se a sua contribuição para o avanço das células solares, células de combustível e baterias, bem como o seu papel no desenvolvimento de materiais aeroespaciais e automóveis. Além disso, o carboneto de silício tem desempenhado um papel importante na criação de dispositivos e sensores optoelectrónicos de ponta. As propriedades únicas do carboneto de silício sustentam a sua eficácia em várias aplicações. O seu amplo intervalo de banda permite-lhe absorver e emitir luz na gama visível, tornando-o um candidato ideal para dispositivos optoelectrónicos. Além disso, a sua elevada condutividade térmica torna-o altamente adequado para aplicações termoeléctricas, enquanto as suas excelentes propriedades mecânicas o tornam uma escolha privilegiada para fins aeroespaciais e automóveis.


Silicon carbide (CAS 409-21-2) Referencias

  1. Inversão do carboneto de silício em nanofios de silício 1D e estruturas semelhantes ao grafeno utilizando um modelo de fluxo magnético dinâmico.  |  Zhou, W., et al. 2023. Mater Horiz. 10: 1354-1362. PMID: 36723128
  2. Propriedades de spin dependentes do campo magnético de defeitos de divacância em carboneto de silício.  |  Yan, FF., et al. 2023. Nanoscale. 15: 5300-5304. PMID: 36810581
  3. Estudo ab initio revelando efeitos oscilatórios notáveis e resistência diferencial negativa no dispositivo molecular de cadeias de carboneto de silício.  |  Mu, Y., et al. 2023. Phys Chem Chem Phys. 25: 13265-13274. PMID: 36924456
  4. Simulação de Dinâmica Molecular da Formação de Filmes Finos de Carbeto de Silício pelo Método Eletrolítico.  |  Galashev, A. and Abramova, K. 2023. Materials (Basel). 16: PMID: 37109951
  5. Defeitos de Spin Único Brilhantes e com Aumento de Plasmónica em Membranas de Carboneto de Silício.  |  Zhou, JY., et al. 2023. Nano Lett. 23: 4334-4343. PMID: 37155148
  6. Análise da gestão térmica de equipamentos electrónicos através da utilização de dissipadores de calor à base de nano-pcm de carboneto de silício.  |  Balakrishnan, R., et al. 2023. Environ Sci Pollut Res Int.. PMID: 37178285
  7. Integração heterogénea de um laser de pontos quânticos III-V em carboneto de silício de elevada condutividade térmica.  |  Koscica, R., et al. 2023. Opt Lett. 48: 2539-2542. PMID: 37186702
  8. Orientação induzida por campo elétrico de whiskers de carboneto de silício para gestão térmica direcional e localizada.  |  Zhang, Y., et al. 2023. J Colloid Interface Sci. 648: 834-845. PMID: 37327626
  9. Síntese direta de grafeno epitaxial nanopadronizado em carboneto de silício.  |  Katzmarek, DA., et al. 2023. Nanotechnology. 34: PMID: 37399800
  10. Investigação sobre o polimento de carboneto de silício por jato de água abrasivo com base nas características do impulso de oscilação auto-excitado do fluido.  |  Zhang, H., et al. 2023. Micromachines (Basel). 14: PMID: 37421086
  11. Amino-terminação de nanopartículas de carboneto de silício.  |  Czene, S., et al. 2023. Nanomaterials (Basel). 13: PMID: 37446469
  12. Carboneto de silício decorado com nanopartículas de níquel como carga térmica em filmes compósitos condutores térmicos à base de nanofibras de aramida para aplicações de dissipação de calor.  |  Wang, X., et al. 2023. RSC Adv. 13: 20984-20993. PMID: 37448645
  13. Comparação experimental direta de monocristal de diamante CVD e de monitores de posição de feixe de raios X de carboneto de silício.  |  Houghton, C., et al. 2023. J Synchrotron Radiat.. PMID: 37462689

Informacoes sobre ordens

Nome do ProdutoNumero de CatalogoUNIDPrecoQdeFAVORITOS

Silicon carbide, 500 g

sc-272454
500 g
$43.00
EUA: Apenas disponível nos EUA