Germanium Disulfide (CAS 12025-34-2)
Direktverknüpfungen
Germaniumdisulfid (GeS2) ist ein zweidimensionales Material, bestehend aus Germanium (Ge) und Schwefel (S) Atomen, die in einer Wabenstruktur angeordnet sind. Dieses Material zeigt Halbleiter-Eigenschaften mit einer direkten Bandlücke von 2,1 eV. Durch Veränderung der Anzahl der Schichten kann die Bandlücke von Germaniumdisulfid angepasst werden, was eine präzise Kontrolle über seine optischen Eigenschaften ermöglicht. Bemerkenswert ist, dass die hohe elektrische Leitfähigkeit dieses Materials auf die Lokalisierung von Elektronen in der Leitungsband auf den Schwefel (S) Atomen zurückzuführen ist. Darüber hinaus bietet das Dopieren von Germaniumdisulfid mit verschiedenen Elementen, wie Bor und Stickstoff, weitere Möglichkeiten, seine Bandlücke einzustellen.
Germanium Disulfide (CAS 12025-34-2) Literaturhinweise
- Durch Kreuzsubstitution geförderte ultrabreite Bandlücke von bis zu 4,5 eV in einem 2D-Halbleiter: Gallium-Thiophosphat. | Yan, Y., et al. 2021. Adv Mater. 33: e2008761. PMID: 33876467
- Kristallwachstumskinetik in GeS2-Glas und Viskosität der unterkühlten Flüssigkeit. | Málek, J., et al. 2021. J Phys Chem B. 125: 7515-7526. PMID: 34212733
Bestellinformation
| Produkt | Katalog # | EINHEIT | Preis | ANZAHL | Favoriten | |
Germanium Disulfide, 1 g | sc-358678 | 1 g | $215.00 | |||
Germanium Disulfide, 10 g | sc-358678A | 10 g | $755.00 | |||
Germanium Disulfide, 100 g | sc-358678B | 100 g | $9200.00 |