Date published: 2025-9-7

00800 4573 8000

SCBT Portrait Logo
Seach Input

Silicon carbide (CAS 409-21-2)

0.0(0)
Escribir una reseñaHacer una pregunta

Nombres Alternativos:
Carborundum; Silicon monocarbide
Número de CAS:
409-21-2
Peso Molecular:
40.10
Fórmula Molecular:
SiC
Para Uso Exclusivo en Investigación. No está diseñado para uso en diagnosis o terapia.
Available in US only.
* En el Certificado de Análisis específico de lote, puede encontrar información específica (como el contenido en agua).

ENLACES RÁPIDOS

Silicon carbide (SiC) es un material semiconductor notable, compuesto por átomos de silicio y carbono, con diversas aplicaciones en electrónica, optoelectrónica y otros campos, todo gracias a sus atributos distintivos. Destaca por su alta conductividad térmica, un amplio intervalo de energía prohibida y propiedades mecánicas excepcionales. Además, SiC muestra una notable estabilidad química y una resistencia excepcional a la corrosión. En la investigación científica, Silicon carbide ha demostrado ser muy valioso y se ha utilizado en diversas áreas. Entre sus usos más destacados se encuentra su contribución al avance de las células solares, las células de combustible y las baterías, así como su papel en el desarrollo de materiales aeroespaciales y automotrices. Además, Silicon carbide ha desempeñado un papel crucial en la creación de dispositivos optoelectrónicos de vanguardia y sensores. Las propiedades únicas del Silicon carbide sustentan su eficacia en diversas aplicaciones. Su amplio intervalo de energía prohibida le permite absorber y emitir luz dentro del rango visible, lo que lo convierte en un candidato ideal para dispositivos optoelectrónicos. Además, su alta conductividad térmica lo hace muy adecuado para aplicaciones termoeléctricas, mientras que sus excelentes propiedades mecánicas lo convierten en una opción principal para fines aeroespaciales y automotrices.


Silicon carbide (CAS 409-21-2) Referencias

  1. Reversión del carburo de silicio en nanocables de silicio 1D y estructuras similares al grafeno utilizando una plantilla dinámica de flujo magnético.  |  Zhou, W., et al. 2023. Mater Horiz. 10: 1354-1362. PMID: 36723128
  2. Propiedades de espín dependientes del campo magnético de defectos de divacancia en carburo de silicio.  |  Yan, FF., et al. 2023. Nanoscale. 15: 5300-5304. PMID: 36810581
  3. Estudio ab initio que revela notables efectos oscilatorios y resistencia diferencial negativa en el dispositivo molecular de las cadenas de carburo de silicio.  |  Mu, Y., et al. 2023. Phys Chem Chem Phys. 25: 13265-13274. PMID: 36924456
  4. Simulación Dinámica Molecular de la Formación de Películas Delgadas de Carburo de Silicio por el Método Electrolítico.  |  Galashev, A. and Abramova, K. 2023. Materials (Basel). 16: PMID: 37109951
  5. Defectos de espín único brillantes potenciados por plasmónica en membranas de carburo de silicio.  |  Zhou, JY., et al. 2023. Nano Lett. 23: 4334-4343. PMID: 37155148
  6. Análisis de la gestión térmica de equipos electrónicos mediante el empleo de disipadores de calor basados en nanopcm de carburo de silicio.  |  Balakrishnan, R., et al. 2023. Environ Sci Pollut Res Int.. PMID: 37178285
  7. Integración heterogénea de un láser de puntos cuánticos III-V sobre carburo de silicio de alta conductividad térmica.  |  Koscica, R., et al. 2023. Opt Lett. 48: 2539-2542. PMID: 37186702
  8. Orientación inducida por campos eléctricos de bigotes de carburo de silicio para la gestión térmica direccional y localizada.  |  Zhang, Y., et al. 2023. J Colloid Interface Sci. 648: 834-845. PMID: 37327626
  9. Síntesis directa de grafeno epitaxial nanopatternado sobre carburo de silicio.  |  Katzmarek, DA., et al. 2023. Nanotechnology. 34: PMID: 37399800
  10. Investigación sobre el Pulido por Chorro de Agua Abrasivo del Carburo de Silicio Basado en las Características del Pulso de Oscilación Autoexcitada del Fluido.  |  Zhang, H., et al. 2023. Micromachines (Basel). 14: PMID: 37421086
  11. Amino-Terminación de Nanopartículas de Carburo de Silicio.  |  Czene, S., et al. 2023. Nanomaterials (Basel). 13: PMID: 37446469
  12. Carburo de silicio decorado con nanopartículas de níquel como relleno térmico en películas compuestas conductoras térmicas basadas en nanofibras de aramida para aplicaciones de disipación térmica.  |  Wang, X., et al. 2023. RSC Adv. 13: 20984-20993. PMID: 37448645
  13. Comparación experimental directa de monitores de posición del haz de rayos X de diamante CVD monocristalino y carburo de silicio.  |  Houghton, C., et al. 2023. J Synchrotron Radiat.. PMID: 37462689

Información sobre pedidos

Nombre del productoNúmero de catálogoUNIDADPrecioCANTIDADFavoritos

Silicon carbide, 500 g

sc-272454
500 g
$43.00
EE.UU: Sólo disponible en EE.