Electrónica
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| Nombre del producto | NÚMERO DE CAS # | Número de catálogo | Cantidad | Precio | MENCIONES | Clasificación |
|---|---|---|---|---|---|---|
2-Ethylhexanethiol | 7341-17-5 | sc-230286 | 25 g | $75.00 | ||
El 2-etilhexanotiol presenta propiedades interesantes en electrónica debido a su cadena alquílica ramificada, que mejora la solubilidad y facilita el empaquetamiento molecular. Su grupo tiol permite modificar eficazmente las superficies, favoreciendo fuertes interacciones con óxidos metálicos y semiconductores. La configuración estérica única de este compuesto ayuda a reducir la dispersión de electrones, mejorando así la movilidad de la carga. Además, su capacidad para formar monocapas autoensambladas contribuye a mejorar la estabilidad y el rendimiento de los dispositivos electrónicos. | ||||||
2-Methylthiophenothiazine | 7643-08-5 | sc-230568 | 5 g | $139.00 | ||
La 2-metiltiofenotiazina presenta características notables en electrónica, principalmente debido a su estructura heterocíclica que permite interacciones de apilamiento π-π eficaces. El átomo de azufre de este compuesto mejora las capacidades de transferencia de carga, facilitando la deslocalización de electrones a través de su estructura. Sus propiedades electrónicas únicas permiten una conductividad sintonizable, lo que lo hace adecuado para semiconductores orgánicos. Además, la capacidad del compuesto para formar interacciones intermoleculares robustas contribuye a mejorar la estabilidad y el rendimiento en aplicaciones electrónicas. | ||||||
Diamond | 7782-40-3 | sc-239677 | 5 g | $188.00 | ||
El diamante presenta propiedades excepcionales en electrónica, sobre todo gracias a su estructura de red tetraédrica, que le confiere una conductividad térmica y un aislamiento eléctrico extraordinarios. El fuerte enlace covalente de su estructura cristalina permite una dispersión mínima de los electrones, lo que se traduce en una elevada movilidad de los portadores. Además, su amplia banda prohibida le permite funcionar eficazmente en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, lo que convierte al diamante en un material prometedor para los dispositivos electrónicos de próxima generación. | ||||||
Tungstic acid | 7783-03-1 | sc-253814 | 100 g | $71.00 | ||
El ácido túngstico destaca en electrónica por su capacidad única de formar complejos estables con iones metálicos, mejorando la conductividad en diversas aplicaciones. Su estructura en capas facilita la intercalación de iones, lo que permite un transporte eficaz de la carga. La fuerte acidez del ácido favorece la formación de productos intermedios reactivos, que pueden acelerar las reacciones superficiales en los procesos de deposición de películas finas. Además, su elevada estabilidad térmica garantiza un rendimiento fiable en entornos electrónicos exigentes. | ||||||
Selenium tetrabromide | 7789-65-3 | sc-355974 sc-355974A | 5 g 25 g | $49.00 $187.00 | ||
El tetrabromuro de selenio destaca en electrónica por su capacidad para formar aductos estables con diversos compuestos orgánicos, lo que favorece la síntesis de nuevos materiales. Sus fuertes propiedades oxidantes facilitan la generación de productos intermedios a base de selenio, que pueden ser fundamentales en la creación de semiconductores. La estructura molecular única del compuesto permite una reactividad selectiva, fomentando un transporte eficaz de la carga y mejorando el rendimiento de los dispositivos electrónicos mediante modificaciones superficiales a medida. | ||||||
Selenium tetrachloride | 10026-03-6 | sc-224284 sc-224284A | 10 g 50 g | $69.00 $258.00 | ||
El tetracloruro de selenio presenta una reactividad única en electrónica, actuando como un potente ácido de Lewis que puede coordinarse con especies ricas en electrones. Esta propiedad permite la formación de polímeros y nanoestructuras ricos en selenio, cruciales para las aplicaciones electrónicas avanzadas. Su capacidad para sufrir una hidrólisis rápida genera especies de selenio reactivas, lo que facilita el desarrollo de películas finas y mejora la conductividad de los materiales, optimizando así el rendimiento de los dispositivos. | ||||||
Silicon tetrachloride | 10026-04-7 | sc-236877 | 25 ml | $1270.00 | ||
El tetracloruro de silicio es un precursor fundamental en la industria electrónica, especialmente en la síntesis de materiales a base de silicio. Su fuerte naturaleza electrófila le permite reaccionar fácilmente con nucleófilos, dando lugar a la formación de enlaces de siloxano. Esta reactividad es esencial para crear películas y revestimientos de silicio de gran pureza. Además, su volatilidad ayuda en los procesos de deposición química de vapor, lo que permite un control preciso de las propiedades del material y mejora el rendimiento de los dispositivos semiconductores. | ||||||
Iodopentoxide | 12029-98-0 | sc-250164 | 25 g | $92.00 | ||
El yodopentóxido es un compuesto notable en electrónica, caracterizado por su capacidad para facilitar interacciones moleculares únicas debido a sus propiedades electrófilas. Presenta una rápida cinética de reacción con diversos sustratos, promoviendo la formación de intermedios yodados estables. Las propiedades físicas distintivas de este compuesto, como su alta reactividad y su capacidad para formar enlaces covalentes robustos, lo convierten en un elemento decisivo para el desarrollo de materiales avanzados y componentes electrónicos innovadores. | ||||||
Diphosphorus tetraiodide | 13455-00-0 | sc-252754 | 5 g | $87.00 | ||
El tetrayoduro de difósforo muestra un comportamiento intrigante en electrónica, debido principalmente a su doble estado de oxidación, que permite configuraciones de enlace versátiles. Sus fuertes características de ácido de Lewis facilitan la formación de compuestos de coordinación complejos, mejorando los procesos de transferencia de carga. La capacidad única del compuesto para formar enlaces halógenos puede conducir a la estabilización de productos intermedios reactivos, lo que lo convierte en un elemento clave en la síntesis de nuevos materiales y dispositivos electrónicos. | ||||||
Zinc meso-tetraphenylporphine | 14074-80-7 | sc-272775 | 500 mg | $120.00 | ||
La meso-tetrafenilporfina de zinc destaca en electrónica por su excepcional capacidad de captación de luz y su eficiente separación de cargas. La estructura de la porfirina permite una amplia π-conjugación, lo que aumenta su conductividad electrónica. Su capacidad para formar complejos estables con iones metálicos permite afinar las propiedades electrónicas, mientras que su geometría planar favorece el apilamiento efectivo en películas finas, optimizando el rendimiento en aplicaciones fotovoltaicas orgánicas y sensores. | ||||||