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二硫化锗(GeS2)是一种二维材料,由排列成蜂窝晶格结构的锗(Ge)和硫(S)原子组成。这种材料具有半导体特性,直接带隙为2.1eV。通过改变层数,可以调整二硫化锗的带隙,从而精确控制其光学特性。值得注意的是,这种材料的高导电性来自硫(S)原子导带中的电子局域化。此外,用各种元素(如硼和氮)掺杂二硫化锗,可以进一步调节其带隙。
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产品名称 | 产品编号 | 规格 | 价格 | 数量 | 收藏夹 | |
Germanium Disulfide, 1 g | sc-358678 | 1 g | $215.00 | |||
Germanium Disulfide, 10 g | sc-358678A | 10 g | $755.00 | |||
Germanium Disulfide, 100 g | sc-358678B | 100 g | $9200.00 |