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O dissulfeto de germânio (GeS2) é um material bidimensional que consiste em átomos de germânio (Ge) e enxofre (S) dispostos em uma estrutura de treliça em forma de colmeia. Esse material apresenta propriedades semicondutoras com um bandgap direto de 2,1 eV. Ao alterar o número de camadas, o bandgap do dissulfeto de germânio pode ser ajustado, permitindo o controle preciso de suas características ópticas. Notavelmente, a alta condutividade elétrica desse material decorre da localização de elétrons na banda de condução nos átomos de enxofre (S). Além disso, a dopagem do dissulfeto de germânio com vários elementos, como boro e nitrogênio, oferece outros meios de ajustar seu bandgap.
Informacoes sobre ordens
Nome do Produto | Numero de Catalogo | UNID | Preco | Qde | FAVORITOS | |
Germanium Disulfide, 1 g | sc-358678 | 1 g | $215.00 | |||
Germanium Disulfide, 10 g | sc-358678A | 10 g | $755.00 | |||
Germanium Disulfide, 100 g | sc-358678B | 100 g | $9200.00 |