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이황화 게르마늄(GeS2)은 황(S) 원자와 게르마늄(Ge)이 벌집 모양의 격자 구조로 배열된 2차원 물질이다. 이 물질은 직접적인 밴드갭이 2.1eV인 반도체 특성을 나타낸다. 이황화 게르마늄은 층수를 변화시킴으로써 밴드갭을 조정할 수 있고, 이를 통해 광학적 특성을 정밀하게 제어할 수 있다. 특히 이 물질의 높은 전기전도도는 전도대에 있는 전자가 황(S) 원자에 국한되어 있기 때문에 발생한다. 또한 붕소나 질소와 같은 다양한 원소와 함께 이황화 게르마늄을 도핑하면 밴드갭을 조정할 수 있다.
주문정보
제품명 | 카탈로그 번호 | 단위 | 가격 | 수량 | 관심품목 | |
Germanium Disulfide, 1 g | sc-358678 | 1 g | $215.00 | |||
Germanium Disulfide, 10 g | sc-358678A | 10 g | $755.00 | |||
Germanium Disulfide, 100 g | sc-358678B | 100 g | $9200.00 |