Tetrakis(diethylamino)zirconium の分子構造、CAS番号: 13801-49-5
Tetrakis(diethylamino)zirconium (CAS 13801-49-5)
CAS 番号:
13801-49-5
分子量:
379.74
分子式:
C16H40N4Zr
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テトラキス(ジエチルアミノ)ジルコニウムは,材料科学,特に原子層堆積(ALD)プロセスの分野におけるその応用のために主に研究されている化学物質である。この化合物はジルコニウム前駆体として作用し、半導体デバイス製造に不可欠なジルコニウム含有薄膜の正確な堆積を可能にする。制御条件下での反応性は表面化学と薄膜成長速度論の研究を可能にし,電子部品性能の改善に重要である。化学者は、ジルコニウム系セラミックスや触媒の合成にこの化合物を用いることが多く、得られる材料特性に及ぼす配位子の影響を調べている。さらに,有機金属フレームワーク(MOF)の製造におけるその有用性は,これらの構造がガス貯蔵および分離用途に有する可能性のために大きな関心を集めている。
Tetrakis(diethylamino)zirconium (CAS 13801-49-5) 参考文献
- リン含有p-tert-ブチルカリックス[5]アレーン配位子のチタンおよびジルコニウム錯体：配位子／金属結合における金属およびコンフォメーションの重要性。 | Fan, M., et al. 2006. Inorg Chem. 45: 6490-6. PMID: 16878963
- アミノ配位子を有するジルコニウム前駆体と水を用いた酸化ジルコニウムの原子層堆積の反応機構。 | Xu, R., et al. 2022. Front Chem. 10: 1035902. PMID: 36405315
- ZrO2原子層蒸着表面反応から発生する熱を解決する。 | Bielinski, AR., et al. 2023. Angew Chem Int Ed Engl. e202301843. PMID: 37316957
- ゲルマニウム上に蒸着したZrO2/La2O3誘電体の蒸着後アニールによる超高誘電率ZrO2相の安定化 | S. Abermann, C. Henkel, O. Bethge, G. Pozzovivo, P. Klang, E. Bertagnolli. 2010. Applied Surface Science. 256: 5031-5034.
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| 製品名 | カタログ # | 単位 | 価格 | 数量 | お気に入り | |
Tetrakis(diethylamino)zirconium, 5 g | sc-272578 | 5 g | $86.00 |