Silicon carbide の分子構造、CAS番号: 409-21-2
Silicon carbide (CAS 409-21-2)
別名:
Carborundum; Silicon monocarbide
CAS 番号:
409-21-2
分子量:
40.10
分子式:
SiC
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炭化ケイ素(SiC)は、ケイ素と炭素原子からなる注目すべき半導体材料であり、その特性により、エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、その他の分野で多様な用途がある。特に、高い熱伝導率、広いバンドギャップ、優れた機械的特性を誇る。さらに,SiCは顕著な化学的安定性と顕著な耐食性を示した。科学研究において、炭化ケイ素は非常に価値があることが証明されており、様々な分野で利用されている。太陽電池、燃料電池、電池の発展に寄与するとともに、航空宇宙や自動車材料の開発にも貢献している。さらに、炭化ケイ素は、最先端の光電子デバイスやセンサーの開発において重要な役割を果たしている。炭化ケイ素のユニークな特性は、様々な用途におけるその有効性を支えている。その広いバンドギャップは、可視範囲内の光を吸収して放出することを可能にし、光電子デバイスの理想的な候補となっている。さらに、その高い熱伝導率は、熱電用途に非常に適しており、優れた機械的特性は、航空宇宙および自動車用の主要な選択肢となっている。
Silicon carbide (CAS 409-21-2) 参考文献
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- 高熱伝導性炭化ケイ素上へのIII-V族量子ドットレーザーの異種集積化。 | Koscica, R., et al. 2023. Opt Lett. 48: 2539-2542. PMID: 37186702
- 炭化ケイ素ウィスカーの電界誘起配向による指向性と局所的熱管理。 | Zhang, Y., et al. 2023. J Colloid Interface Sci. 648: 834-845. PMID: 37327626
- 炭化ケイ素上へのナノパターン・エピタキシャル・グラフェンの直接合成。 | Katzmarek, DA., et al. 2023. Nanotechnology. 34: PMID: 37399800
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- 単結晶CVDダイヤモンドと炭化ケイ素のX線ビーム位置モニターの直接実験比較。 | Houghton, C., et al. 2023. J Synchrotron Radiat.. PMID: 37462689
注文情報
| 製品名 | カタログ # | 単位 | 価格 | 数量 | お気に入り | |
Silicon carbide, 500 g | sc-272454 | 500 g | $43.00 | |||
| 米国: 米国のみで入手可能 | ||||||