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二硫化ゲルマニウム(GeS2)は,ハニカム格子構造に配置されたゲルマニウム(Ge)と硫黄(S)原子からなる二次元物質である。この材料は直接バンドギャップ2.1eVの半導体特性を示す。層の数を変えることにより、二硫化ゲルマニウムのバンドギャップを調整することができ、その光学特性を正確に制御することができる。特に,この材料の高い電気伝導率は,硫黄(S)原子上の伝導帯における電子の局在化に起因する。さらに、二硫化ゲルマニウムをホウ素や窒素のような様々な元素でドーピングすることは、バンドギャップを調整するさらなる手段を提供する。
注文情報
| 製品名 | カタログ # | 単位 | 価格 | 数量 | お気に入り | |
Germanium Disulfide, 1 g | sc-358678 | 1 g | $215.00 | |||
Germanium Disulfide, 10 g | sc-358678A | 10 g | $755.00 | |||
Germanium Disulfide, 100 g | sc-358678B | 100 g | $9200.00 |