ホスフィン配位子
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| 製品名 | CAS # | カタログ # | 数量 | 価格 | 引用文献 | レーティング |
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1,3-Bis(dicyclohexylphosphino)propane | 103099-52-1 | sc-222924 | 1 g | $275.00 | ||
1,3-ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)プロパンは、金属-リガンド相互作用を増強する二座配位で注目される強固なホスフィン配位子である。ジシクロヘキシル基は重要な立体的嵩を提供し、金属中心の周りのユニークな空間配置を促進する。この配位子は強い電子供与性を示し、効果的な電荷移動を促進し、反応速度論に影響を与える。低原子価の金属錯体を安定化させるその能力は、有機金属合成における多様な触媒用途への道を開く。 | ||||||
(R,R′′)-2,2′′-Bis(diphenylphosphino)-1,1′′-biferrocene | 136274-57-2 | sc-296185 sc-296185A | 100 mg 500 mg | $300.00 $1040.00 | ||
(R,R'')-2,2''-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1''-ビフェロセンは、ビフェロセン骨格を特徴とする特徴的なホスフィン配位子であり、ユニークな電子特性と立体効果を付与する。ジフェニルホスフィノ基は強いπ-πスタッキング相互作用を通じて金属配位を増強し、金属錯体の安定性を促進する。金属中心周囲の電子環境を調節するこの配位子の能力は、様々な有機金属変換における触媒経路や反応選択性に大きく影響する。 | ||||||
(S,S)-1,2-Bis[(tert-butyl)methylphosphino]ethane Bis(borane) | 203000-48-0 | sc-296298 | 100 mg | $253.00 | ||
(S,S)-1,2-ビス[(tert-ブチル)メチルホスフィノ]エタンビス(ボラン)は、立体的に嵩高いtert-ブチル基を持つことで注目される汎用性の高いホスフィン配位子である。この配置は配位子交換反応速度を向上させ、低配位金属錯体を安定化させる。このリガンドの強力なドナー特性は、金属-リガンド相互作用を効果的に促進し、多様な有機金属反応における触媒効率と選択性に影響を与える。 | ||||||
1,1′-Bis(phenylphosphino)ferrocene | 480444-12-0 | sc-224885 | 1 g | $179.00 | ||
1,1'-ビス(フェニルホスフィノ)フェロセンは、フェロセン骨格を特徴とする特徴的なホスフィン配位子であり、ユニークな電子環境を与える。フェニル基はπアクセプター能力を高め、強い金属-リガンド相互作用を促進する。この配位子は配位錯体において顕著な安定性を示し、多様な反応経路を促進する。電子的性質と立体効果を調節する能力により、反応速度と選択性に影響を与え、触媒反応において重要な役割を果たす。 | ||||||
9,9-Dimethyl-4,5-bis(di-tert-butylphosphino)xanthene | 856405-77-1 | sc-291772 | 500 mg | $121.00 | ||
9,9-ジメチル-4,5-ビス(ジ-tert-ブチルホスフィノ)キサンセンは、その嵩高いジ-tert-ブチルホスフィノ基が大きな立体障害を与えることで注目される汎用性の高いホスフィン配位子である。この特徴は、低配位金属錯体を安定化する能力を高め、ユニークな反応性パターンを促進する。リガンドのキサンテンコアはその平面構造に寄与し、πスタッキング相互作用を促進する。その調整可能な電子的特性は、触媒プロセスの微細な制御を可能にし、様々な反応における選択性と効率に影響を与える。 | ||||||
Bis(p-sulfonatophenyl)phenylphosphine dihydrate dipotassium salt | 151888-20-9 | sc-300239 | 250 mg | $82.00 | ||
ビス(p-スルホナトフェニル)フェニルホスフィン二水和物二カリウム塩は、スルホネート基が特徴的なホスフィン配位子であり、水性環境での溶解性を高め、金属中心との強いイオン相互作用を促進する。この配位子はユニークな配位挙動を示し、遷移金属との安定な錯体形成を可能にする。その独特な電子的特性は反応性の調節を可能にし、触媒経路に影響を与え、様々な化学変換における選択性を高める。 | ||||||
Ethyldiphenylphosphine | 607-01-2 | sc-257514 | 5 ml | $114.00 | ||
エチルジフェニルホスフィンは、金属配位に影響を与える立体的・電子的特性で知られる汎用性の高いホスフィン配位子である。嵩高いジフェニル基は大きな立体障害となり、反応中間体を安定化させ、反応経路を変化させる。この配位子は強いπ-πスタッキング相互作用を示し、錯体の安定性を高める。さらに、その電子供与性は金属中心の酸化状態を調節し、様々な反応における触媒効率や選択性に影響を与える。 | ||||||
Triphenylphosphine oxide | 791-28-6 | sc-397258 | 25 g | $25.00 | ||
トリフェニルホスフィンオキシドは、遷移金属と強く配位する能力を特徴とする、著名なホスフィン配位子として機能する。酸素原子の存在はルイス塩基性を高め、安定な金属-リガンド錯体の形成を促進する。このリガンドはユニークな溶解特性を示し、様々な溶媒中で効果的な相互作用を可能にする。その立体的なバルクは金属錯体の形状に影響を与え、触媒プロセスにおける反応性や選択性に影響を与える。 | ||||||
Tris(diethylamino)phosphine | 2283-11-6 | sc-251400 | 5 g | $82.00 | ||
トリス（ジエチルアミノ）ホスフィンは、その強い電子供与性で知られる汎用性の高いホスフィン配位子であり、遷移金属錯体の反応性を高める。そのユニークなトリエチルアミノ置換基は立体障害となり、金属-リガンド相互作用の空間配置に影響を与える。このリガンドは金属の低酸化状態を安定化させ、明確な反応経路を促進し、触媒サイクルにおける反応速度を変化させることができる。また、様々な有機溶媒に溶解するため、多様な配位化学を促進する。 | ||||||
Tris(o-methoxyphenyl)phosphine | 4731-65-1 | sc-397666 sc-397666A sc-397666B sc-397666C sc-397666D | 1 g 5 g 10 g 25 g 100 g | $43.00 $171.00 $286.00 $551.00 $1020.00 | ||
トリス(o-メトキシフェニル)ホスフィンは、π-π相互作用を通じて金属配位を増強する電子豊富な芳香族置換基を特徴とする特徴的なホスフィン配位子である。この配位子は、高い酸化状態の遷移金属を安定化させるユニークな能力を示し、特定の触媒経路を促進する。立体的に嵩高いo-メトキシフェニル基は金属錯体の形状に影響を与え、様々な化学変換における反応性や選択性を変化させる。さらに、有機溶媒への溶解性が高いため、配位化学における多様な応用が可能である。 | ||||||